Toshiba lance un MOSFET miniature doté d’une excellente protection ESD.
Dispositif double à haut rendement, idéal pour les phares automobiles à LED.
Toshiba Electronics Europe GmbH (TEE) a lancé un double MOSFET à haut niveau de protection ESD (Electro Static Discharge, ou décharge électrostatique). Le nouveau SSM6N813R est destiné aux applications automobiles durcies.
Il sera notamment parfait comme driver de LED de phare, une application qui nécessite une valeur de tension stabilisée élevée et un encombrement réduit.
Sa tension drain-source (VDSS) maximum de 100V assure au SSM6N813R de convenir aux phares à plusieurs LED, et cette capacité est encore renforcée par le niveau d’immunité ESD élevé du dispositif.
Fabriqué grâce au procédé semiconducteur Toshiba le plus récent, le SSM6N813R offre une dissipation maximale de 1,5 W et un très bon rendement énergétique, grâce à une résistance à l’état passant RDS(ON) de seulement 112 mΩ. Le courant de drain (ID) peut monter jusqu'à 3,5A.
Ces doubles MOSFET sont conditionnés en boîtier miniature TSOP6F de seulement 2,9 x 2,8 x 0,8 mm, ce qui correspond à la taille d'un boîtier SOT23, soit 70% de moins qu'un boîtier SOP8.
Le TLX9309 est d’ores et déjà produit en série.
